Elektroniske og optiske egenskaber af grafen og grafen antidot strukturer

Studenteropgave: Speciale (inkl. HD afgangsprojekt)

  • Morten Rishøj Thomsen
  • Søren Jacob Brun
4. semester, Nanoteknologi, Kandidat (Kandidatuddannelse)
De elektroniske egenskaber af ren grafen modelleres ved brug af tight-binding. Grafen er halvmetallisk med en lineær båndstruktur nær Dirac punktet i Brillouin zonen. En linearisering af båndstrukturen, kendt som Dirac approksimationen, bruges til at opstille analytiske udtryk for adskillige egenskaber. Det er nødvendigt at introducere et båndgab i grafen for at kunne bruge det til flere elektroniske anvendelser. Det er muligt at intoducere et båndgab i grafen, rent matematisk, ved hjælp af en "gapped graphene" model. Det er desuden muligt at introducere et båndgab i grafen ved at lave grafen antidot gitre, som er mere realistiske at fabrikere. Sammen med Dirac approksimationen bruges gapped grafen modellen til at opstille en model til at beskrive grafen antidot gitre. Antidot områderne modelleres som gapped graphene, men resten af strukturen modelleres som ren grafen. Derudover bruges GTAIEM til at modellere spredning gennem en grafen antidot barriere. Vi fokuserer på grafen antidot barrierer med antidots arrangeret i et sekskantet mønster inde i barrieren. En undersøgelse af spredningsfænomenernes skalerbarhed bruges til at tilnærme spredningen forårsaget af store strukturer.
SpecialiseringsretningNanofysik og -materialer
SprogEngelsk
Udgivelsesdato7 jun. 2013
Antal sider93
ID: 77338003