• Rasmus Mørch Hjelmgart
  • Thore Stig Aunsborg
4. semester, Nanoteknologi, Kandidat (Kandidatuddannelse)
Denne afhandling undersøger GaN tyndfilms egenskaber. Den grundlæggende teori bag PL
spektroskopi, Raman spektroskopi og Hall målinger er forklaret. Dette betragtes i forhold til GaN,
hvilket ogsåindeholder en beregning af båndstrukturen for wurtzite. Generel teori bag PAMBE GaN
syntese er beskrevet inklusiv forskellige GaN syntesemåder, og hvordan disse kan anvendes til at
optimere syntesen.

Flere GaN prøver er blevet groet med PAMBE, som sammen med MOCVD prøver er blevet
karakteriseret med hensyn til overflademæssige, elektriske, og optiske egenskaber. De forskellige
karakteriseringsmetoders anvendelighed er diskuteret med hensyn til GaN. Der bliver her argumenteret
for at sammenspillet mellem forskellige metoder er nødvendigt for at give en præcis og pålidelig
prøvebeskrivelse.
SpecialiseringsretningNanofysik og -materialer
SprogEngelsk
Udgivelsesdato15 jun. 2016
Antal sider152
ID: 235321393